1. Comparação de três potenciais de tecnologia de bateria Até agora, existem 3 rotas técnicas, PERC a bateria é a rota técnica mais popular, representando 90% ou mais, e TOPCon e HJT estão em ascensão. Máxima eficiência teórica:A bateria PERC é de 24,5%;O TOPCon é dividido em dois tipos, um é de face única (apenas a superfície traseira é feita de passivação de polissilício) 27,1% e TOPCon de dupla face (a superfície frontal também é feita de polissilício) 28,7%;HJT frente e verso 28,5%. Eficiência máxima do laboratório:PERC é de 24%;TOPCon é de 26%, que é o recorde de um laboratório com uma pequena área de 4 cm na Alemanha. De uma grande área, a maior eficiência de comercialização da Jinko é de 25,4%;A comercialização de HJT é LONGi M6 atingiu 26,3%. Eficiência nominal da linha de produção (para o relatório de divulgação da própria linha de produção, alguns fatores podem não ser considerados):PERC é de 23%; TOPCon é de 24,5%; HJT é de 24,5%. De acordo com o poder dos componentes no mercado, às vezes é dito que a eficiência do teste é muito alta, mas o poder dos componentes não é muito alto. Uma possibilidade é que o CTM é baixo e a eficiência é falsamente alta. Se inferirmos a eficiência da bateria de CTM u003d 100% e observarmos 72 peças de baterias M6, wafers de silício de tamanhos diferentes não são os mesmos, PERC é 22,8%, TOPCon é 23,71% e HJT é 24,06%. Na verdade, ele realmente reflete a realidade da eficiência de observação do lado do componente. Taxa de rendimento da linha de produção: O TOPCon é de 98,5%, e a diferença nas transmissões de várias empresas é relativamente grande, variando de 90 a 95%; HJT é de cerca de 98%. Número de processos: PERC é de 11 processos; TOPCon é de 12 processos; HJT é de 7 processos e convencional é de 5 processos. Se for bem feito, mais a pré-limpeza e o getting, serão 7 processos. Adequação da folha:O PERC é de 160-180μm e os wafers de silício de tamanho grande são 182/210 ou 170-180μm. O tamanho pequeno pode chegar a 160μm;TOPCon é muito semelhante ao PERC, 160-180μm;O HJT tem uma aplicação em larga escala de 150 μm e não há problema em atingir 130 μm. Algumas empresas anunciaram que é mais desafiador atingir 120 μm, mas o manipulador se adaptará após melhorias no futuro. Tamanho da bolacha: todos são de tamanho normal, apenas de acordo com a demanda do mercado. É muito difícil para o TOPCon atingir 210 porque há muitos processos de alta temperatura. Compatibilidade: A compatibilidade TOPCon e PERC são principalmente compatíveis, ou seja, adicionando dois ou três dispositivos. HJT é basicamente incompatível. Investimento em equipamentos: PERC é de 180 milhões/GW, TOPCon é de 250 milhões/GW e HJT é de 350 milhões/GW. Preço do módulo: O PERC no mercado é baseado em 100%, o TOPCon tem um prêmio de 5% e o HJT tem um prêmio de 10%. Escalabilidade técnica:Nesta fase, o PERC de dupla face e o TOPCon podem industrializar o PERC de face única. Seguimos o estrito CTM100, principalmente entre 23,7% e 24%; A produção em massa de HJT amorfo de dupla face é de 24,3% e a eficiência equivalente reversa é de cerca de 24%. Na próxima etapa, HJT2.0 pode chegar a 25%, 3,0 a 25,5%. Algumas empresas da TOPCon reivindicam 24,5% este ano, 25% no ano que vem e 25,5% no ano seguinte. Do ponto de vista técnico, a melhoria da eficiência não é alcançada pelo acúmulo de eficiência na linha de produção, mas pelo design técnico. A TOPCon quer melhorar ainda mais. Se for passivado apenas na superfície traseira, é relativamente difícil. É possível passivar ambos os lados, e a superfície frontal da passivação de dupla face também deve ser mais espessa. A ideia é tornar a superfície frontal muito fina e usar ITO depois que a condutividade estiver ruim. A pasta de metal não será queimada e a passivação de dupla face pode ser realizada posteriormente. A chamada bateria POLO não faz sucesso no exterior e é fabricada por institutos de pesquisa na Holanda ou na Alemanha. , a maior eficiência é de apenas 22,5%. Outra possibilidade é que depois que a passivação é feita na parte traseira, a superfície frontal é parcialmente passivada, e a razão pela qual toda a superfície não é passivada é que, se o polissilício for espesso, haverá uma perda relativamente grande e a perda de absorção de luz é muito grande. Os locais sem eletrodos precisam ser retirados, podendo ser feitos os locais com eletrodos que não ficam expostos à luz. É muito difícil fazer um filme de passivação de polissilício local. Até agora, nenhuma dessas células foi produzida em nenhum laboratório ou linha de teste piloto. Este é apenas um projeto, e a amostra do modelo não saiu, então é impossível verificar em que estado ele é feito. Agora, apenas o caminho de melhoria da eficiência do desenvolvimento da tecnologia HJT é o mais claro. Gostaria de lembrar um ponto que, de acordo com os resultados publicados pela LONGi em 2021, a passivação policristalina é usada em ambos os lados do TOPCon, que é de 28,7%. Se apenas a superfície traseira for passivada e a outra superfície for eletrodos P+, apenas 27,1%. A eficiência de limite teórico unilateral é inferior a 28,7%. Por que a eficiência da publicação de Longji é maior do queo da Alemanha, porque a nova publicação de Longji é baseada na diminuição da resistência de contato causada por seu próprio mecanismo de filme de passivação de 25,1% novo, o que melhora a eficiência teórica. Agora concentre-se na rota da tecnologia HJT, as três rotas da tecnologia HJT, esta é toda amorfa, 24,3%, e foi produzida em massa. O microcristalino de um lado (dióxido de silício microcristalino na superfície frontal) é de 25%, todos testados piloto. A implantação da industrialização é 100% HJT2.0. O resultado preliminar do Huasheng é que a eficiência pode ser aumentada para 25,5%-25,6%, e ainda há espaço para melhorias, pois ainda está no início da depuração. As expectativas da indústria para este ano são óbvias. Até o final do ano, a eficiência do HJT será de 25%, e Tongwei e outras empresas transformaram suas linhas de produção originais em HJT2.0. HJT3.0 é fazer silício nanocristalino na superfície traseira, o que é mais difícil, mas pode ser implementado em laboratório. Huasheng está trabalhando neste aspecto e introduz HJT na linha de teste para fazer silício microcristalino na superfície traseira. A TOPCon também está indo bem em 2021. Não apenas o pequeno chip alemão de 4 cm está constantemente estabelecendo recordes, mas também inovando constantemente em wafers de silício comerciais domésticos de grande área. Jolywood e Jinko também quebraram o recorde mundial de eficiência em grandes áreas, atingindo 25,4%. Em 2021, haverá de fato um grande progresso na tecnologia de baterias TOPCon. A corrente principal obviamente aumentou, mas dissemos que há um problema com o TOPCon. Se for feito apenas um lado, é um desenho feito pelos alemães no relatório, mas os wafers de silício tipo N são na verdade esses dois. Na China, a TOPCon iniciou a indústria. No entanto, a tecnologia de junção traseira quadrática POLO é o TOPCon de dupla face tipo N. A eficiência teórica é relativamente alta, mas o processo de fabricação é muito difícil. É apenas uma hipótese, não havendo resultado laboratorial. Se isso for feito na linha de produção, a eficiência será ainda melhorada, o que será muito difícil e aumentará ainda mais o custo. Do PERC a janeiro de 2019, o LONGi quebrou o novo recorde mundial de 24,06% na época e não estabeleceu um novo recorde mundial nos próximos 4 anos, o que mostra que esse tipo de bateria está em um gargalo e a eficiência teórica é apenas 24,5%. De fato, a eficiência de 24,0% já foi testada em laboratório. Muito trabalho foi feito e a linha de produção atual é de apenas cerca de 23%, o que mostra que não há muito espaço para melhorias nas baterias PERC.  2. Dificuldades técnicas dos três tipos de baterias Dificuldades técnicas:10/11 etapas no processo PERC, como dois lasers, uma expansão de fósforo e revestimento de dupla face;TOPCon adiciona processo de chapeamento de dióxido de silício e polissilício, e expansão de boro é necessária na frente, mas não há abertura de laser e há método úmido; Na verdade, o HJT começa apenas com a limpeza, revestimento de dupla face de silício microcristalino ou silício amorfo, depois ITO e, em seguida, sinterização de serigrafia. Costumava ser muito simples, apenas 4 etapas, mas agora os wafers de silício ainda precisam ser obtidos. Costumava ser um processo de baixa temperatura. em 8 passos. Na verdade, muitas empresas no TOPCon não falam muito sobre isso. A primeira dificuldade é a expansão do boro e a segunda é o LPCVD. O chapeamento de um lado e o chapeamento de retrocesso são mais sérios e a taxa de rendimento não é alta. Esse problema é basicamente resolvido após a expansão bilateral, mas ainda existem muitos problemas no LPCVD. A parede do tubo é revestida muito rapidamente. Coisas de 150nm são feitas de 10 fornos de 1,5um, e a parede do tubo é rapidamente revestida na parede do tubo. A parede do tubo precisa ser limpa com frequência, mas o processo de baixa pressão O LPCVD precisa ser laminado, requer tubos de quartzo grossos e precisa ser limpo ao mesmo tempo, o que é um problema relativamente grande. Agora é usado revestimento duplo, o exterior é laminado e o interior é revestido com a camada de filme. Muitas vezes é retirado para limpeza. Embora seja melhor, requer alguns procedimentos. A chamada taxa de operação será afetada porque a manutenção é necessária. A expansão real do próprio boro é uma coisa difícil. As etapas do processo são relativamente longas, resultando em perda de rendimento relativamente grande, e existem alguns problemas potenciais que podem causar flutuações no rendimento e na linha de produção, queimadura por difusão e filme de polissilício queimado por pasta de prata, resultando em danos por passivação e alta processos de temperatura que causam danos aos wafers de silício; Uma das dificuldades do HJT é que o PECVD mantém a purificação, que deve ser próxima ao processo do semicondutor, e os requisitos de pureza são mais rígidos do que antes da difusão do TOPCon. Depois de HJT2.0 e 3.0, porque a taxa de diluição do hidrogênio aumenta, a taxa de deposição precisa ser acelerada e alta frequência é introduzida, o que levará auniformidade. declínio sexual. Além disso, há também a questão do custo, como reduzir a quantidade de pasta de prata e melhorar ainda mais a estabilidade da bateria. Dificuldade de custo:O TOPCon também tem pontos problemáticos, um é a taxa de rendimento relativamente baixa e o outro é o CTM. A baixa taxa de rendimento aumenta o custo e o CTM é relativamente baixo/e a potência real do componente é significativamente diferente. Também é relativamente difícil melhorar a eficiência e não há muito espaço para melhorias no futuro, porque a frequência de manutenção dos equipamentos é relativamente alta; A dificuldade de custo do HJT é que o consumo de polpa é relativamente grande. Uma é como reduzir a quantidade e como reduzir o preço. Além disso, o CTM é relativamente baixo. Os requisitos de preparação do cristalito também estão envolvidos, afetando o custo e a tecnologia. Processo de confecção:Muitas pessoas me pediram para listar a divisão de custos. Na verdade, não acho que a divisão de custos seja muito significativa. Você pode ver que a redução de custo depende da lógica, ou seja, qual lógica é usada para reduzir o custo. Compare esses três processos, como comparar quão alta é a temperatura desses três. O PERC tem 3 processos de alta temperatura, um para expansão de fósforo a 850°C, dois para revestimento a 400-450°C e sinterização a 800°C. Os processos de alta temperatura TOPCon incluem expansão de boro a 1100-1300°C, expansão de fósforo a 850°C, LPCVD a 700-800°C, dois revestimentos a 450°C e sinterização a 800°C. Existem muitos processos de alta temperatura, alta carga de calor, alto consumo de energia e custo. Não pode ser visto pelo investimento em materiais e equipamentos, mas na verdade, do ponto de vista das contas de luz, é pelo menos superior ao PERC. Se HJT não absorve impurezas, na verdade é 200°C, PE a 200°C, sinterização a 200°C e PVD a 170°C. Portanto, é uma temperatura muito baixa e o tempo de baixa temperatura não é longo, porque o tempo de revestimento é muito curto e geralmente é revestido com uma espessura de 2 nm, 3 nm e 10 nm. No entanto, o tempo de lixiviação é relativamente longo, lixiviando uma placa transportadora por 8 minutos do início ao fim. A quantidade de uma placa transportadora é menor que a de um PECVD tubular, e a difusão do PECVD tubular é de 2400°C ou 1200°C, enquanto uma placa transportadora 12*12u003d144 viaja mais rápido, mas a quantidade também é pequena. Isso é um pouco comparável, em suma, a temperatura é relativamente baixa. Mas se for feita uma rápida obtenção de fósforo, o processo pode chegar a 1000°C, mas a duração é curta, apenas 1min, e toda a carga de calor é muito menor que o TOPCon. Vejamos novamente o processo molhado: PERC é 3 vezes, TOPCon é 5 vezes, HJT costumava ter apenas um tempo de texturização sem absorção de impurezas, e apenas um equipamento, que é bem simples. Se houver sujeira, lave / remova os danos antes de pegar, há um veludo na parte de trás, o processo úmido é muito curto. O processo de vácuo do PERC inclui expansão de fósforo e dois PECVDs, ambos também a vácuo, mas o grau de vácuo é relativamente baixo e uma bomba de haste é suficiente. O grau de vácuo do TOPCon é relativamente alto, e a expansão de fósforo, expansão de boro, LPCVD e PECVD são realizadas duas vezes a cada vez. O grau de vácuo não é alto e 5 vezes a bomba de haste de vácuo são suficientes. Existem dois processos HJT, um é PECVD e o outro é PVD. O PVD requer um grau relativamente alto de vácuo e usa uma bomba molecular, portanto, isso consumirá mais energia em termos de requisitos de vácuo. Todo o processo depende do custo atual e do futuro processo de redução de custos, e os vários consumos e perdas de energia causados pelo processo simples serão muito menores.